DMP2078LCA3-7

作为一款采用先进MOSFET技术制造的P沟道功率开关器件，DMP2078LCA3-7在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，通过优化的沟道设计和制造工艺，确保了在低栅极驱动电压下即可实现高效导通。该器件采用P沟道设计，特别适用于需要以简单电路实现负载与电源之间高端开关控制的场合，简化了驱动电路的设计复杂度。

在功能表现上，该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和3.4A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电源管理和负载开关应用提供了可靠的性能基础。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为8V、Id为500mA的条件下典型值仅为78毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其极低的栅极电荷(Qg，最大值1.6nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss)有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的功率损耗，并允许使用更小、更经济的驱动IC。

该器件的接口与参数设计充分考虑了实际应用的便利性与鲁棒性。其驱动电压范围宽泛，在1.8V至8V的栅源电压下即可获得良好的导通特性，尤其兼容1.8V、3.3V、5V等常见逻辑电平，便于直接由微控制器或逻辑电路驱动。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，提供了明确的导通与关断界限。器件采用表面贴装型的X4-DSN1006-3封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

基于上述特性，DMP2078LCA3-7非常适用于空间受限且对效率有要求的各类便携式电子设备、物联网模块及消费类电子产品。典型应用场景包括电池供电设备中的负载开关、电源路径管理、电机驱动中的预驱动开关，以及DC-DC转换器中的同步整流或功率开关单元。其小尺寸、低导通电阻和易驱动特性，使其成为现代紧凑型电子系统中实现高效功率控制的理想选择。

• 型号:DMP2078LCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:228 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X4-DSN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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