DMP2079LCA3-7

作为一款采用先进MOSFET技术制造的P沟道功率器件，DMP2079LCA3-7在紧凑的封装内实现了优异的电气性能。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其设计重点在于优化功率转换效率和开关速度，以满足现代便携式及空间受限设备对高密度电源管理的严苛要求。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷的出色平衡，这直接转化为更低的传导损耗和开关损耗，从而提升了系统的整体能效。

在功能实现上，该MOSFET展现出多项关键特性。其最大漏源电压(Vdss)为20V，在25°C环境温度下可支持高达3.4A的连续漏极电流(Id)，为负载开关和电源路径管理提供了充足的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在Vgs为8V、Id为500mA的条件下典型值仅为78毫欧，这一低阻抗特性确保了在导通状态下产生最小的压降和热量。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.2V，且驱动电压范围覆盖1.8V至8V，使其能够与低电压逻辑电平（如1.8V, 3.3V, 5V）的微控制器或电源管理IC无缝兼容，简化了驱动电路设计。

该器件的接口与动态参数同样经过精心优化。在4.5V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)仅为1.1nC，在10V Vds下的最大输入电容(Ciss)为152pF。这些极低的电荷和电容值显著降低了开关过程中的能量损失，并允许使用更小的栅极驱动电流，从而实现更高的开关频率和更快的瞬态响应。其最大允许栅源电压(Vgs)为-12V，提供了可靠的栅极保护余量。器件采用表面贴装型X4-DSN1006-3（B类）封装，占板面积极小，非常适合高密度PCB布局。其结温工作范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行，最大功率耗散为810mW。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品。

基于其综合性能，DMP2079LCA3-7非常适用于对空间和效率有双重要求的应用场景。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的负载开关、电池保护电路和电源隔离。此外，它也适用于低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的预驱动电路，以及各类需要高效功率切换的嵌入式系统和模块中，是实现小型化、高效率电源解决方案的关键元件。

• 型号:DMP2079LCA3-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X4-DSN1006-3（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，8V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:78 毫欧 @ 500mA，8V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:152 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:810mW
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X4-DSN1006-3（B 类）
• 封装/外壳:3-XFDFN
• 现在可以订购DMP2079LCA3-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。