DMP2109UVT-13

DMP2109UVT-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其P沟道设计简化了在许多常见电源拓扑中的驱动电路，特别是在负载开关或电源路径管理中，无需额外的电平转换电路即可由低压逻辑信号直接控制。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通特性上。在4.5V的驱动电压下，其导通电阻典型值低至80毫欧，这一特性确保了在高达3.7A的连续漏极电流下，器件的通态损耗被控制在极低水平，从而显著提升系统效率并减少发热。其栅极阈值电压最大值为1V，结合2.5V至4.5V的标准逻辑电平驱动范围，使其能够与绝大多数现代微控制器和数字逻辑芯片无缝兼容，实现高效可靠的功率切换。

在动态性能方面，低至6nC的栅极电荷与443pF的输入电容共同决定了其出色的开关速度，这有助于降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其漏源击穿电压额定为20V，为常见的5V、12V等低压总线系统提供了充足的安全裕量。器件采用紧凑的TSOT-26表面贴装封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性也支持高达1.2W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠货源和完整技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取此产品。

综合其电气参数，DMP2109UVT-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用领域包括便携式设备的负载开关、电源管理单元中的功率路径控制、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电池供电系统中的充电管理和放电保护电路。其稳健的设计使其成为消费电子、移动设备、网络通信及工业控制等领域中，实现高效、紧凑功率解决方案的理想选择。

• 型号:DMP2109UVT-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.7A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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