DMP210DUFB4-7B

Diodes Incorporated推出的DMP210DUFB4-7B是一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管，其核心架构基于增强型金属氧化物半导体设计。该器件采用紧凑的X2-DFN1006-3封装，实现了高密度表面贴装，其热设计和电气布局经过优化，确保了在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作。其P沟道配置简化了负逻辑或高侧开关电路的设计，无需额外的电荷泵或电平转换电路，特别适合由单电源或低电压逻辑直接驱动的应用场景。

该MOSFET在电气性能上表现突出，其最大漏源电压额定值为20V，能够满足多数低电压系统的需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达200mA，为负载开关和小功率电机驱动提供了充足的电流能力。其导通电阻特性是关键优势之一，在Vgs为4.5V、Id为100mA的条件下，Rds(on)最大值仅为5欧姆，这有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升整体系统效率。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，结合1.2V至4.5V的驱动电压范围，使其能够与多种低电压微控制器和逻辑芯片（如1.8V, 3.3V, 5V逻辑）完美兼容，实现高效可靠的开关控制。

在动态特性方面，DMP210DUFB4-7B的输入电容Ciss最大值在Vds为15V时为175pF，较低的栅极电荷需求使得开关速度更快，并减少了驱动电路的负担。其栅源电压可承受±10V的最大值，提供了良好的抗电压尖峰能力。器件的最大功率耗散为350mW（Ta），结合其微小的DFN封装，要求在设计PCB时充分考虑散热路径以确保性能。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取完整的规格书、样品以及应用设计指导。

凭借其低导通电阻、低阈值电压和小尺寸封装，这款MOSFET非常适合空间受限且对效率有要求的应用。其主要应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关和电池保护电路，以及物联网设备、小型电机驱动、模块的使能控制等。它在需要高侧开关或由逻辑电平直接控制电源通断的电路中，能提供简洁高效的解决方案。

• 型号:DMP210DUFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 200MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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