DMP2123LQ-13

DMP2123LQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现优异的开关性能与功率效率的平衡。其紧凑的SOT-23封装内集成了优化的单元结构，确保了在有限的芯片面积下实现较低的导通电阻和快速的开关响应，这对于空间受限的现代电子设备至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其低导通电阻（Rds(on)）与低栅极电荷（Qg）的出色组合。在4.5V的驱动电压下，其最大导通电阻仅为72毫欧（@3.5A），这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其最大栅极电荷低至7.3nC（@4.5V），这意味着驱动电路所需的开关能量更小，有助于实现更高频率的开关操作并减少驱动损耗。其阈值电压Vgs(th)最大值为1.25V，与标准逻辑电平兼容性良好，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动。

在电气参数方面，DMP2123LQ-13具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）能力，为低压应用提供了充足的电压余量和电流处理能力。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±12V，增强了应用的鲁棒性。器件的功率耗散能力为1.4W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在苛刻环境下的可靠运行。表面贴装的SOT-23封装符合自动化生产要求，便于集成到高密度PCB设计中。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取该产品。

凭借其综合性能，该器件非常适合用于需要高效功率切换或负载管理的低压场景。典型应用包括便携式设备的电源管理，如负载开关、电池反接保护；DC-DC转换器中的同步整流或高端开关；以及电机驱动、LED调光等消费电子和工业控制领域。其小尺寸、高效率和良好的热性能，使其成为空间和能效敏感型设计的理想选择。

• 型号:DMP2123LQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 3.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.25V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:443 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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