DMP213DUFA-7B

DMP213DUFA-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率开关器件。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现极低的栅极驱动要求和出色的导通特性。其紧凑的X2-DFN0806-3封装不仅优化了PCB空间利用率，更通过良好的热设计确保了在宽温度范围内的稳定工作性能。

该器件的一个显著特点是其极低的栅极阈值电压（Vgs(th)）和栅极电荷（Qg）。其Vgs(th)最大值仅为1.5V @ 250A，而Qg在4.5V驱动下典型值仅为0.35nC。这一特性使得它能够被微控制器或低电压逻辑电路（如1.8V或3.3V系统）轻松、高效地驱动，显著降低了系统对栅极驱动电路的要求和整体功耗。同时，在4.5V的Vgs驱动下，其导通电阻（Rds(On)）可低至10欧姆（@200mA），这对于一个145mA连续漏极电流等级的器件而言，意味着更低的导通压降和功率损耗。

在电气参数方面，DMP213DUFA-7B具备25V的漏源击穿电压（Vdss），足以应对常见的12V或更低电压的电源轨。其输入电容（Ciss）最大值仅为27.2pF @ 10V，结合极低的Qg，共同保证了快速的开关速度和优异的高频响应能力。器件的安全工作区（SOA）由360mW（Ta）的最大功耗和-55°C至150°C（TJ）的结温范围所定义，确保了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的完整技术资料、样品及批量供应支持。

凭借其小尺寸、低电压驱动和高效能特性，这款MOSFET非常适合集成到空间受限且对能效敏感的应用中。其主要应用场景包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源负载开关、电池反接保护、电源路径管理和信号切换。此外，在物联网（IoT）传感器节点、低功耗微控制器单元的电源管理模块，以及各类需要高效、小型化功率开关解决方案的消费类和工业类电子产品中，它都能提供可靠的性能。

• 型号:DMP213DUFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.35 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:-8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:27.2 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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