DMP2160U-7

DMP2160U-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23-3封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。其沟槽结构优化了载流子迁移路径，有效降低了单位面积的Rds(On)，使得在有限的芯片尺寸内能够处理高达3.2A的连续漏极电流，同时保持良好的热特性。

该MOSFET的关键电气性能表现突出。其最大漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的5V、12V等低压系统总线。在驱动电压(Vgs)为4.5V时，其导通电阻(Rds(On))典型值低至80毫欧@1.5A，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为900mV，且完全兼容1.8V至4.5V的低压逻辑电平驱动，使其能够无缝连接微控制器、ASIC等数字逻辑单元，无需额外的电平转换电路，简化了设计。

在动态特性方面，器件具有较低的输入电容(Ciss)，在Vds为10V时最大值仅为627pF，这有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，尤其适用于高频PWM控制应用。其栅源电压(Vgs)最大耐受值为±12V，提供了足够的驱动裕量。该器件采用表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为1.4W，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及完整的技术支持。

凭借其低压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性，DMP2160U-7非常适合用于空间受限且对效率要求高的场合。其主要应用场景包括便携式设备的负载开关、电源管理单元中的功率路径控制、DC-DC转换器的同步整流或高端开关，以及电机驱动、电池保护电路中的功率切换模块。其SOT-23-3封装为高密度PCB布局提供了极大便利，是工程师实现高性能、小型化电源设计的优选器件。

• 型号:DMP2160U-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:627 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 现在可以订购DMP2160U-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。