DMP2160UW-7

DMP2160UW-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其栅极结构经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现完全导通，这对于由低电压逻辑电路直接驱动的应用至关重要，有助于简化系统设计并减少外围元件数量。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和1.5A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电路中的功率开关或负载切换提供了可靠的性能基础。其关键特性在于优异的导通性能，在4.5V的栅源电压(Vgs)和1.5A的漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至100毫欧，这能有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为900mV，且支持低至1.8V的驱动电压即可获得较低的导通电阻，使其与3.3V及1.8V等现代微控制器和逻辑芯片完美兼容。

在电气参数方面，器件具有±12V的栅源电压耐受范围，提供了良好的栅极保护裕量。其输入电容(Ciss)在10V漏源电压下最大值为627pF，较低的栅极电荷有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗。该MOSFET的额定工作结温范围为-55°C至150°C，在25°C环境温度下的最大功耗为350mW，确保了在宽温范围内的稳定运行。对于需要可靠供应链和稳定供货的客户，通过DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的重要环节。

凭借其小尺寸、低导通电阻和低压驱动的特点，DMP2160UW-7非常适用于空间受限的便携式电子设备。其典型应用场景包括电池供电设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关、电池保护电路，以及DC-DC转换器中的同步整流或功率路径管理。此外，在计算设备、消费电子及工业控制模块中，它也可用于信号电平转换和电机驱动等需要高效P沟道开关的场合。

• 型号:DMP2160UW-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT-323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 1.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:900mV @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:627 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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