DMP21D0UFB-7

DMP21D0UFB-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的3-X1DFN1006封装，专为在有限空间内实现高效功率切换而设计。其核心架构优化了电荷平衡与导通电阻（Rds(On)）之间的关系，在1.8V的低栅极驱动电压下即可实现有效导通，显著降低了栅极驱动电路的复杂性和功耗，使其非常适用于由单节锂离子电池或低电压逻辑电路直接驱动的应用。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为20V，能够可靠地工作在常见的12V及以下的电源系统中。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为770mA，足以驱动中小功率的负载。尤为关键的是，其在4.5V栅源电压（Vgs）、400mA漏极电流（Id）条件下的导通电阻典型值低至495毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为1.5nC（@8V），输入电容（Ciss）最大值也仅为76.5pF（@10V），这意味着极低的开关损耗和快速的开关速度，有利于提升高频开关电源或负载开关的性能。

在接口与参数方面，该器件设计稳健，支持±8V的最大栅源电压，为栅极驱动提供了安全裕量。其阈值电压Vgs(th)最大值为700mV，确保了在低电压逻辑电平下的可靠关断。器件采用表面贴装形式，功率耗散能力为430mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过DIODES一级代理可以获得原厂正品保障和全面的应用支持。

基于其低电压驱动、低导通电阻、快速开关和小尺寸封装的特点，DMP21D0UFB-7非常适合应用于空间受限的便携式电子设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源路径管理、电池反接保护，以及低压DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其优异的性能使其成为设计工程师在追求高功率密度和高效率的现代电子产品时的理想选择。

• 型号:DMP21D0UFB-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):770mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 400mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.5 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:76.5 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:430mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-UFDFN
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