DMP21D0UFD-7

DMP21D0UFD-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET工艺技术制造。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的优化平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。其结构确保了在紧凑的封装内实现可靠的功率处理能力和稳定的电气特性。

该MOSFET具备多项关键电气特性，使其在低电压应用中表现出色。其最大漏源电压（Vdss）为20V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）额定值为820mA，适用于中等电流负载的开关与控制。其导通电阻（Rds(on)）在Vgs为4.5V、Id为800mA的条件下典型值低至495毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.2V，而驱动电压范围覆盖1.5V至4.5V，使其与常见的3.3V或5V逻辑电平完美兼容，简化了驱动电路设计。此外，极低的栅极电荷（Qg最大值3nC @ 4.5V）和输入电容（Ciss最大值80pF @ 10V）意味着更快的开关速度和更低的驱动功率需求，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件采用表面贴装型X1-DFN1212-3封装，外形尺寸紧凑，有利于高密度PCB布局。其最大允许栅源电压（Vgs）为±8V，提供了安全的驱动裕量。器件在环境温度下的最大功率耗散为490mW，结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

DMP21D0UFD-7典型的应用场景广泛覆盖各类便携式电子设备、消费类产品和低功率模块。它常被用于负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池供电设备的电源切换，以及电机驱动、LED调光等电路中的低压侧开关。其优异的能效比和快速开关特性使其成为对空间、功耗和成本均有严格要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMP21D0UFD-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1212-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 820MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):820mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:495 毫欧 @ 800mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:80 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X1-DFN1212-3
• 封装/外壳:3-UDFN
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