DMP21D2UFA-7B

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能P沟道功率MOSFET，DMP21D2UFA-7B采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构基于紧凑的X2-DFN0806-3封装。这款器件在极小的物理尺寸内实现了优异的电气性能，其P沟道设计简化了负载开关电路，特别适用于由正电源直接驱动的应用场景，无需额外的电平转换电路，从而有效降低了系统复杂性和成本。

该器件在电气特性上表现突出，其漏源电压（Vdss）为20V，能够满足多数低压系统的需求。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）可达330mA，提供了可靠的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为4.5V、Id为200mA的条件下最大值仅为1欧姆，这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其驱动电压范围宽泛，最小驱动电压低至1.5V，使其能够与多种低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V）的微控制器或处理器无缝对接，实现高效的数字控制开关功能。

在动态参数方面，DIODES一级代理提供的详细规格书显示，DMP21D2UFA-7B的栅极电荷（Qg）最大值仅为0.8nC @ 4.5V，输入电容（Ciss）最大值为49pF @ 15V。这些极低的寄生参数确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，这对于高频开关应用（如DC-DC转换器中的同步整流或负载开关）至关重要，有助于提升整体电源系统的瞬态响应和效率。器件的栅源电压（Vgs）最大耐受值为±8V，提供了稳健的驱动保护。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，结合表面贴装（SMT）封装形式，使其能够适应严苛的工业环境和高密度PCB布局的要求。

基于其小尺寸、低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围的综合优势，DMP21D2UFA-7B非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的领域。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关和电池保护电路，以及作为低压DC-DC转换器中的开关元件。在物联网（IoT）节点、模块和各类消费电子产品的板级设计中，它都能作为高效的功率开关解决方案，为系统的小型化和能效提升做出贡献。

• 型号:DMP21D2UFA-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN0806-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 330MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):330mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 200mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:49 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:360mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN0806-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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