DMP21D5UFB4-7B

DMP21D5UFB4-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X2-DFN1006-3封装，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，通过优化的单元设计和制造工艺，有效降低了栅极电荷和寄生电容，从而提升了整体能效和开关频率响应能力。

在功能特性上，该MOSFET展现出卓越的电气性能。其最大漏源电压(Vdss)为20V，连续漏极电流(Id)在环境温度(Ta)下可达700mA，适用于低压大电流的开关与控制场景。导通电阻(Rds(on))在Vgs=5V、Id=100mA条件下典型值仅为970毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围宽泛，在1.2V至5V的低压驱动下即可实现良好的导通特性，使其非常兼容于现代低电压逻辑电路和微控制器GPIO口直接驱动，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计。

器件的动态参数同样出色。在Vgs=4.5V时，最大栅极电荷(Qg)仅为500nC，结合在Vds=10V时最大输入电容(Ciss)为46.1pF，这些低电荷特性确保了极快的开关速度和极低的开关损耗，特别适合高频PWM应用。其栅源电压(Vgs)可承受±8V，提供了良好的抗干扰能力。该MOSFET的功率耗散能力为460mW (Ta)，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其小尺寸、低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围的特点，DMP21D5UFB4-7B非常适合空间受限且对效率有高要求的便携式电子设备。其典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或功率路径管理，以及各类需要高效功率切换的嵌入式系统和模块中。

• 型号:DMP21D5UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 700MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):700mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.2V，5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:970 毫欧 @ 100mA，5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:460mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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