DMP21D6UFB4-7B

DMP21D6UFB4-7B是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的X2-DFN1006-3封装，其核心设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡，从而在有限的物理空间内提供高效的功率开关性能。其架构特别注重降低开关损耗和传导损耗，这对于提升便携式设备的整体能效至关重要。

该MOSFET具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和580mA的连续漏极电流(Id)能力，为低压电路提供了可靠的开关基础。其关键特性在于优异的栅极驱动性能，在4.5V的低栅源电压(Vgs)下即可实现低至1欧姆的导通电阻(Rds(on))，这使得它能够被广泛用于由单节锂离子电池或3.3V/5V逻辑电平直接驱动的场景。同时，其最大栅极电荷(Qg)仅为0.8nC，输入电容(Ciss)最大值为46.1pF，极低的栅极电荷和输入电容显著降低了驱动电路的负担和开关过程中的动态损耗，有助于实现高速开关并简化驱动IC的选择。

在接口与参数方面，器件支持1.8V至4.5V的宽范围逻辑电平驱动，与主流微控制器和电源管理芯片完美兼容。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，确保了在低驱动电压下的可靠关断。表面贴装的封装形式适应自动化高密度组装，最大功率耗散为510mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的稳定性和耐用性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品及批量供货支持。

基于其小尺寸、低导通电阻和优异的开关特性，DMP21D6UFB4-7B非常适合应用于空间受限且对效率有高要求的领域。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源路径管理、电池反接保护以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。此外，在物联网终端、便携式医疗设备及各种低功耗嵌入式系统的功率分配模块中，它也是实现高效、紧凑设计的理想选择。

• 型号:DMP21D6UFB4-7B
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X2-DFN1006-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 580MA 3DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):580mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 100mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:0.8 nC @ 8 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:46.1 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:X2-DFN1006-3
• 封装/外壳:3-XFDFN
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