DMP2240UWQ-7

DMP2240UWQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率开关器件。该器件采用紧凑的SOT-323表面贴装封装，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。其P沟道设计简化了在负载位于电源与开关之间的高侧开关应用中的栅极驱动电路，无需额外的电荷泵或电平移位电路，从而有效减少了系统设计的复杂性和外围元件数量。

该MOSFET的功能特性突出体现在其优异的电气性能上。它具备20V的漏源击穿电压(Vdss)和1.5A的连续漏极电流(Id)能力，为低压应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在4.5V栅源电压(Vgs)和2A漏极电流条件下，最大值仅为150毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1V，且驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其能够与多种低压微控制器和逻辑电路直接兼容，实现高效、可靠的数字控制。

在接口与关键参数方面，DMP2240UWQ-7的栅极可承受高达±12V的电压，提供了良好的抗干扰能力。其输入电容(Ciss)在16V漏源电压下最大值为320pF，有助于实现快速的开关瞬态响应，减少开关损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，最大功耗为250mW。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其紧凑的尺寸、低导通电阻和良好的低压驱动兼容性，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理、负载开关、电池保护电路，以及低压DC-DC转换器中的同步整流或功率路径管理。其在电机驱动、LED照明控制等需要P沟道开关的场合也能发挥重要作用，是实现系统小型化、高效化的理想选择。

• 型号:DMP2240UWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-323
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT323
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:320 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-323
• 封装/外壳:SC-70，SOT-323
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