DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为在有限空间内实现高效率、大电流开关而设计，其核心架构优化了沟道与封装间的热传导和电气连接路径，确保了在严苛工作条件下的可靠性与性能一致性。

该器件具备多项突出的电气特性。其极低的导通电阻（Rds(On)）是关键优势之一，在10V驱动电压（Vgs）和25A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为2.5毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，特别适用于电池供电或对热管理要求严格的应用。同时，其驱动电压范围宽泛，最小驱动电压低至2.5V，最大栅源电压（Vgs）为±12V，这使其能够兼容多种逻辑电平，并与低压微控制器或驱动芯片轻松接口，简化了系统设计。

在接口与参数方面，DMP22M2UPS-13的漏源击穿电压（Vdss）为20V，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）额定值高达60A，展现了强大的电流处理能力。其栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为476nC，结合12826pF的输入电容（Ciss），意味着在开关过程中需要合理设计栅极驱动电路以实现快速的开关速度并控制开关损耗。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在工业级环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的用户，通过DIODES一级代理进行采购是保障正品货源和获取全面技术资料的有效途径。

基于其高性能参数，DMP22M2UPS-13非常适合应用于对空间和效率有双重要求的场景。典型应用包括服务器、通信设备的负载点（POL）DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，笔记本电脑、平板电脑等移动设备中的电源管理和电池保护电路，以及电机驱动、电动工具中的功率开关模块。其PowerDI5060-8封装提供了优异的散热性能，有助于在紧凑的PCB布局中有效管理高达2.3W的功耗，是实现高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMP22M2UPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:476 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12826 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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