DMP25H18DLFDE-13

Diodes Incorporated推出的DMP25H18DLFDE-13是一款采用先进MOSFET技术制造的P沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，其核心设计旨在实现高压环境下的高效、可靠开关控制。其U-DFN2020-6（E类）封装不仅提供了优异的散热性能，其紧凑的占板面积也使其非常适合于高密度PCB布局，满足了现代电子设备小型化的普遍需求。

该MOSFET具备250V的高漏源击穿电压（Vdss），这使其能够在诸如离线式电源、功率因数校正（PFC）等高压侧应用中稳定工作。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、200mA漏极电流条件下典型值仅为14欧姆，较低的导通损耗有助于提升系统整体效率。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值2.8nC @ 10V）和输入电容（Ciss，最大值81pF @ 25V）是其显著特点，这意味着驱动电路所需的开关能量更小，能够实现更快的开关速度并降低驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，DMP25H18DLFDE-13在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）额定值为260mA，最大功耗为600mW。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V @ 1mA，而标准驱动电压范围在3.5V至10V之间，确保了与低压逻辑电平（如3.3V或5V微控制器）的良好兼容性，简化了驱动电路设计。器件支持高达±40V的栅源电压，提供了较强的抗电压尖峰能力。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）保证了其在严苛工业环境或汽车电子应用中的稳定性和长寿命。对于需要可靠供应链保障的批量项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保正品货源和稳定供应的有效途径。

综合其高压、低栅荷、逻辑电平兼容及小型化封装等特性，DMP25H18DLFDE-13非常适用于一系列要求高效功率管理的场景。典型应用包括AC-DC开关电源中的高压侧开关或启动电路、LED照明驱动、家用电器中的电机控制模块，以及各类需要高压P-MOSFET作为负载开关或电平转换的工业控制与汽车电子系统。其稳健的性能参数使其成为工程师在高压、中低电流开关设计中一个值得信赖的解决方案。

• 型号:DMP25H18DLFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 250V 260MA 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):260mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:81 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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