DMP26M7UFG-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP26M7UFG-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。该器件采用P通道设计，漏源电压（Vdss）额定值为20V，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。其表面贴装型PowerDI3333-8封装不仅优化了PCB空间利用率，还提供了出色的热性能，有助于将内部产生的热量高效导出。

该器件的显著优势在于其极低的导通电阻，在4.5V驱动电压、15A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为6.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在156nC（@10V），结合1.8V至4.5V的驱动电压范围，使得它能够实现快速、干净的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下为18A，在壳温（Tc）下可达40A，展现了强大的电流处理能力。

在接口与电气参数方面，DMP26M7UFG-13的栅源电压（Vgs）最大额定值为±10V，提供了安全的驱动裕度。其阈值电压Vgs(th)最大值为1V @ 250A，确保了在低电压逻辑电平下的可靠开启。输入电容（Ciss）最大值为5940pF @ 10V，工程师在设计驱动电路时需要将此参数纳入考量，以优化开关速度和防止寄生振荡。该器件的最大功率耗散为2.3W（Ta），其热设计需确保结温不超过额定值以维持长期稳定性。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，这款MOSFET非常适合用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关、电池保护电路和DC-DC转换器（尤其是同步整流的下管或高边开关）。此外，它也适用于电机驱动控制、低压大电流的电源分配系统以及各类消费电子产品的功率控制模块。对于需要可靠元器件供应的设计团队，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术支持与供应链服务。

• 型号:DMP26M7UFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 15A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5940 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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