DMP3004SSS-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP3004SSS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。该器件基于成熟的沟槽工艺制造，优化了单元密度和电荷平衡，从而在紧凑的封装内实现了优异的电气特性。其P沟道设计简化了高边开关应用的驱动电路，无需额外的电荷泵或电平转换电路，为系统设计提供了便利。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的导通电阻与电流处理能力上。在10V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4毫欧（在20A条件下测量），这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，其连续漏极电流(Id)在环境温度下可达16.2A，确保了强大的负载驱动能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为156nC @ 10V，结合较低的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适合高频应用场景。

在接口与关键参数方面，DMP3004SSS-13提供了稳健的操作窗口。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，为驱动设计提供了充足的裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了在标准逻辑电平下的可靠开启。器件采用热增强型的8-SO表面贴装封装，在紧凑的占板面积下提供了良好的散热路径，其结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其综合性能，该MOSFET非常适合多种应用场景。它常被用于负载开关、电源管理模块、电机驱动控制以及电池保护电路中，特别是在需要高边开关的便携式设备、消费电子和工业控制系统中。其低导通电阻和高电流能力使其成为DC-DC转换器中同步整流或开关元件的理想选择，能够有效提升电源系统的功率密度和能效比。

• 型号:DMP3004SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T\\u0026R 2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:156 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7693 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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