DMP3007SCG-13

DMP3007SCG-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的V-DFN3333-8（8DFN）表面贴装封装，专为高功率密度和高效热管理的应用场景而设计。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性之间的平衡，从而在电源管理、电机驱动和负载开关等电路中显著降低传导损耗和开关损耗。

该器件的一个关键特性是其卓越的导通性能，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至6.8毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。其连续漏极电流（Id）在特定壳温条件下可达50A，漏源电压（Vdss）为30V，使其能够稳健地处理中高功率负载。栅极驱动设计灵活，最大栅源电压（Vgs）为±25V，而开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与多种逻辑电平控制器（包括标准3.3V和5V系统）的兼容性。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为64.2nC，结合2826pF的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，该MOSFET在宽温度范围（-55°C至150°C结温）内保持稳定的性能，其功率耗散能力为2.4W（环境温度下）。这些参数共同定义了其在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该器件及相关设计资源。

基于其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关特性，DMP3007SCG-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流或高端负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机控制驱动电路以及各类需要高效功率切换的便携式和嵌入式系统。其表面贴装封装也符合现代电子产品自动化生产的需求。

• 型号:DMP3007SCG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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