DMP3007SCG-7

DMP3007SCG-7是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用紧凑的V-DFN3333-8（8DFN）表面贴装封装，专为高功率密度和高效散热的应用场景而设计。其核心架构优化了沟道和单元结构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在电源管理和功率开关电路中显著降低传导损耗和开关损耗。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源电压（Vdss）为30V，在25°C壳温条件下连续漏极电流（Id）高达50A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=11.5A的条件下最大值仅为6.8毫欧，这一极低的导通阻抗是实现高效率运行的关键。驱动特性方面，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，在4.5V至10V的驱动电压范围内即可获得优异的导通性能，兼容多种逻辑电平，便于驱动电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为64.2nC，输入电容（Ciss）在15V下最大值为2826pF，这些参数共同保证了快速的开关速度，有助于提升系统整体频率和响应性能。

在接口与电气参数方面，DMP3007SCG-7的栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，提供了良好的栅极保护裕量。其最大功率耗散为2.4W（环境温度Ta下），结合DFN封装优良的热性能，确保了器件在高温环境下的可靠工作。其宽泛的工作结温（TJ）范围为-55°C至150°C，使其能够适应工业级和汽车级应用的严苛环境要求。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细资料、样品及批量供应服务。

基于其高性能参数，DMP3007SCG-7非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。典型应用场景包括服务器和通信设备的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池管理系统（BMS）中的充放电控制，以及电机驱动、电动工具和汽车电子中的功率分配单元。其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，使其成为现代高效能电源解决方案中P沟道MOSFET的理想选择。

• 型号:DMP3007SCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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