DMP3007SPS-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP3007SPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）技术，其核心架构旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于P通道设计，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下工作，能够在高达150°C的结温（TJ）范围内稳定运行，确保了其在严苛环境下的可靠性。其封装采用表面贴装型的PowerDI5060-8，这种紧凑的封装形式不仅优化了PCB空间利用率，也提升了整体的热管理能力。

该器件的显著优势在于其卓越的导通电阻特性。在10V驱动电压（Vgs）和15A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为7毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V时最大值为64.2nC，较低的Qg值有助于减少开关过程中的能量损失，并允许使用更小、更快的驱动电路，从而优化开关电源等应用的动态性能。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，提供了宽裕的安全设计余量。

在电气参数方面，DMP3007SPS-13在25°C壳温（Tc）下的连续漏极电流（Id）额定值高达90A，展现出强大的电流处理能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大为2826pF，这些参数共同定义了其快速开关与驱动响应的边界。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取原厂正品与技术支援。

凭借其高电流、低导通电阻和快速开关的特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效率功率转换和管理的场景。典型应用包括服务器、电信设备的负载开关与电源路径管理，电动工具及电池供电设备的电机驱动控制，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其PowerDI5060-8封装优异的散热性能，使其在空间受限且对热设计有高要求的紧凑型消费电子和工业设备中也能发挥关键作用。

• 型号:DMP3007SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 90A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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