DMP3007SPSQ-13

Diodes Incorporated推出的DMP3007SPSQ-13是一款采用先进工艺技术制造的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用紧凑的POWERDI5060-8封装，在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值高达90A，为高电流密度应用提供了坚实的硬件基础。其优化的内部结构有效降低了寄生参数，有助于提升整体能效并减少开关损耗。

该MOSFET的功能特点突出表现在其卓越的功率处理能力与热性能上。其设计重点在于实现高电流承载下的稳定运行与低损耗。虽然具体导通电阻值未在基础参数中明确，但该系列器件通常针对驱动电压进行了优化，以确保在较低的栅极电压下也能获得良好的导通特性。对于需要可靠电源管理的设计，通过官方DIODES代理获取完整的数据手册是进行精确电路仿真的关键步骤。

在接口与关键参数方面，DMP3007SPSQ-13的漏源电压额定范围为25V至30V，这使其非常适合用于低压大电流的功率转换环节。POWERDI5060-8封装不仅提供了紧凑的占板面积，其结构也利于散热，有助于将芯片产生的热量高效导出，从而在给定的热设计下支持更高的持续电流。器件的“有源”状态确保了其可立即用于生产与设计，供应链稳定可靠。

基于其技术规格，DMP3007SPSQ-13典型的应用场景包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制电路以及各类负载开关。在这些领域中，其对高瞬态电流的耐受能力和高效的开关特性，能够显著提升电源系统的转换效率与功率密度，是工程师设计高性能、高可靠性功率电子系统的优选器件之一。

• 型号:DMP3007SPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET 25V~30V POWERDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2826 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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