DMP3008SFG-7

DMP3008SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效散热而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在较低的栅极驱动电压下即可获得优异的导通性能，这对于由低压逻辑信号直接驱动的应用至关重要。

该MOSFET的显著特性包括极低的导通电阻，在10V Vgs和10A Id条件下，Rds(on)最大值仅为17毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷Qg最大值仅为47nC，结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的栅极驱动鲁棒性。其连续漏极电流额定值在环境温度下可达8.6A，最大功率耗散为900mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。

在接口与参数方面，DIODES授权代理可提供完整的技术支持。DMP3008SFG-7的漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.1V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够轻松兼容3.3V或5V的微控制器GPIO端口，无需复杂的电平转换电路。表面贴装的封装形式符合现代自动化生产要求，便于集成到高密度PCB设计中。

基于其高性能参数，DMP3008SFG-7非常适合用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括负载开关、电源路径管理、电池反接保护，以及在DC-DC转换器中作为同步整流或高端开关。其快速开关特性也使其适用于电机驱动控制中的PWM调速电路。无论是便携式设备、消费电子，还是工业控制系统，这款MOSFET都能为设计工程师提供一个可靠、高效的功率开关解决方案。

• 型号:DMP3008SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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