DMP3008SFGQ-7

DMP3008SFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件基于优化的沟槽栅极结构设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。其核心在于通过精密的半导体工艺，在紧凑的封装内实现了高电流处理能力和高效的热管理，结温（TJ）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。

该MOSFET的关键电气特性使其在功率控制应用中表现突出。其漏源电压（Vdss）额定为30V，在25°C环境温度下可支持高达8.6A的连续漏极电流（Id）。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和10A测试条件下，最大值仅为17毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.1V，配合最大47nC的栅极电荷（Qg），意味着它能够被标准逻辑电平轻松驱动，并实现快速的开关切换，有助于减少开关损耗。

在接口与参数方面，器件采用表面贴装型的PowerDI3333-8封装，这种封装形式具有优异的热性能和紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB设计。其最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了足够的驱动安全裕度。输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为2230pF，结合较低的Qg，共同优化了驱动电路的设计复杂度。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。

得益于其高性能参数组合，DMP3008SFGQ-7非常适合应用于需要高效率电源管理的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制电路中的预驱动级，以及各类便携式电子设备、计算主板和工业控制模块中的功率分配与开关功能。其稳健的设计能够有效提升终端产品的能效和功率密度。

• 型号:DMP3008SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2230 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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