DMP3010LK3Q-13

DMP3010LK3Q-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，封装于TO-252（DPAK）表面贴装封装中。其核心架构基于优化的单元设计和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高电流处理能力的平衡。该器件在-55°C至150°C的宽结温范围内保持稳定工作，确保了其在严苛环境下的可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其优异的低导通电阻表现，在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为8毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为59.2nC @ 4.5V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以更高，系统响应更快。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达17A，为负载开关和电源管理应用提供了充足的电压与电流余量。

在接口与电气参数方面，该器件设计有宽泛的栅源驱动电压范围（Vgs最大值为±20V），并具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值2.1V @ 250A），这意味着它能够与多种逻辑电平（包括3.3V和5V系统）良好兼容，易于驱动。其最大功率耗散为1.7W（Ta），结合TO-252封装良好的热性能，能够有效管理工作中产生的热量。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高性能参数组合，DMP3010LK3Q-13非常适合应用于对效率和空间有要求的现代电子系统中。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或高端负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制电路以及各类需要高效功率切换的消费类电子、工业控制和汽车辅助系统。其表面贴装形式也顺应了当前电子产品小型化、高密度组装的发展趋势。

• 型号:DMP3010LK3Q-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 17A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59.2 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6234 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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