DMP3013SFK-13

DMP3013SFK-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2523-6（6UDFN）封装，其核心架构旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的优化平衡，从而在开关应用中显著提升效率并降低功率损耗。其设计充分考虑了热性能，封装底部设有裸露的散热焊盘，有效提升了从结到环境的热传导能力，确保器件在高功率密度应用中能够稳定工作。

该MOSFET的关键电气特性使其在众多功率管理方案中表现出色。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达10.5A，具备出色的电流承载能力。其导通电阻(Rds(on))在驱动电压(Vgs)为10V、漏极电流(Id)为9.5A的条件下，最大值仅为14毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更少的发热量。同时，其最大栅极电荷(Qg)仅为33.7nC (Vgs=10V)，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与参数方面，该器件设计有宽泛且稳健的驱动电压范围。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保在逻辑电平驱动下的可靠导通。栅源电压(Vgs)最大耐受值为±25V，提供了充足的驱动裕量和抗干扰能力。其输入电容(Ciss)在Vds=15V时最大值为1674pF，与低栅极电荷相结合，共同优化了开关动态性能。器件的功率耗散能力在环境温度(Ta)下为1W，而在管壳温度(Tc)下可高达19.5W，凸显了其封装卓越的散热潜力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在严苛工业环境下的可靠性。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取正品器件和技术支持。

基于其高性能参数组合，DMP3013SFK-13非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场景。典型应用包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关和电源路径管理；服务器及通信设备中的DC-DC转换器同步整流或高端开关；以及电机驱动、电池管理系统(BMS)中的反向电流保护和功率分配电路。其表面贴装型封装符合现代自动化生产要求，有助于实现高可靠性的PCB组装。

• 型号:DMP3013SFK-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.5A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1674 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta），19.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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