DMP3013SFK-7

作为Diodes Incorporated推出的高性能功率器件，DMP3013SFK-7是一款采用先进工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的DFN2523-6封装，在有限的PCB空间内实现了优异的电气性能和热管理能力，其核心设计旨在优化功率转换效率与系统可靠性。

该MOSFET在25°C环境温度下能够支持高达10.5A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其30V的漏源击穿电压额定值，使其非常适合在低压电源轨和功率路径管理应用中作为主开关或负载开关使用。低导通电阻是其关键特性之一，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率，尤其在电池供电设备中，有助于延长运行时间。

在接口与参数方面，器件采用标准的MOSFET引脚配置，便于电路设计和PCB布局。其热性能经过优化，封装设计有助于将芯片产生的热量高效地传导至PCB，提升在持续高负载下的工作稳定性。对于需要可靠供应与技术支持的设计团队，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取完整的技术资料、样品支持与供应链服务。

DMP3013SFK-7广泛应用于各类消费电子、计算设备和便携式产品的电源管理子系统。典型应用场景包括笔记本电脑、平板电脑和智能手机中的负载开关、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。其高电流能力和稳健性也使其适用于电机驱动控制、LED背光驱动等需要高效功率切换的领域，是工程师在空间受限且对效率有高要求的设计中的优选器件。

• 型号:DMP3013SFK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V DFN2523-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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