DMP3013SFV-7

DMP3013SFV-7是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在极小封装尺寸下承载大电流的能力，同时确保了出色的热性能和电气可靠性。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V Vgs驱动下，典型Rds(On)仅为9.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其连续漏极电流在环境温度下可达12A，在管壳温度下更可高达35A，展现出强大的电流处理能力。器件支持宽泛的栅极驱动电压，标准逻辑电平（4.5V）即可实现高效开启，同时栅极电荷（Qg）最大值仅为33.7nC，这有助于降低开关损耗，提升高频开关性能，并简化驱动电路设计。

在电气参数方面，DMP3013SFV-7具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线系统提供了充足的电压裕量。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±25V，增强了抗栅极噪声干扰的能力。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合其表面贴装型封装和优化的热阻特性，使其能够适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性，此器件非常适合应用于空间受限的现代电子设备中。其主要应用场景包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑和服务器中的DC-DC同步整流和负载点（POL）转换；电池供电设备中的负载开关和电源路径管理；以及电机驱动、热插拔保护和各类便携式设备中的功率切换功能。其PowerDI3333封装与标准热增强型DFN封装兼容，便于PCB布局和散热管理，是追求高功率密度和可靠性的工程师的理想选择。

• 型号:DMP3013SFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1674 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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