DMP3017SFGQ-13

DMP3017SFGQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为高密度、高效率的电源管理和负载开关应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，在确保低栅极电荷的同时，实现了优异的开关性能和热管理能力。

该MOSFET的关键特性在于其极低的导通电阻，在10V Vgs驱动下，典型Rds(On)仅为10毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。其栅极阈值电压最大值为3V，配合4.5V至10V的标准驱动电压范围，使其能够与主流逻辑电平控制器（如MCU、DSP）轻松兼容，简化了驱动电路设计。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为41nC，结合较低的输入电容，确保了快速的开关瞬态响应，有效减少了开关损耗，尤其适用于高频开关应用。

在电气参数方面，DIODES芯片代理提供的规格书显示，DMP3017SFGQ-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和11.5A的连续漏极电流能力，为负载提供了可靠的电压和电流裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。表面贴装的PowerDI3333封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的封装结构也提供了出色的散热性能，最大功率耗散可达940mW。

基于上述特性，DMP3017SFGQ-13非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。典型应用包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的DC-DC转换器中的同步整流或负载开关；服务器及通信设备的电源管理单元（PMU）；电池保护电路和电机驱动中的功率控制部分。其高可靠性使其成为工程师在构建紧凑型、高效率电源解决方案时的优选功率开关器件。

• 型号:DMP3017SFGQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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