DMP3017SFGQ-7

DMP3017SFGQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在实现高功率密度设计的同时，提供了优异的电气性能和热管理能力。其核心架构优化了单元结构，旨在显著降低导通电阻和栅极电荷，从而提升整体能效并降低开关损耗，这对于现代高效率电源转换和功率管理应用至关重要。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和11.5A的连续漏极电流(Id)能力，为低压大电流应用场景提供了坚实的保障。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V栅源驱动电压(Vgs)和11.5A漏极电流条件下，Rds(on)最大值仅为10毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，配合最大41nC的低栅极电荷(Qg)，确保了快速、高效的开关性能，并降低了对栅极驱动电路的要求，简化了设计。

在接口与参数方面，该器件支持高达±25V的栅源电压，提供了较强的栅极可靠性。其输入电容(Ciss)在15V Vds条件下最大值为2246pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度与驱动损耗的平衡。器件采用表面贴装形式，工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功率耗散为940mW，适合在严苛的环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取正品器件和技术支持。

基于其优异的性能组合，DMP3017SFGQ-7非常适用于空间受限且对效率要求高的应用场景。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的电源管理和负载开关、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关、电池保护电路以及各类低压大电流的电机驱动控制。其出色的能效和可靠性使其成为现代紧凑型电子系统中功率路径管理的理想选择。

• 型号:DMP3017SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2246 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:940mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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