DMP3017SFK-13

DMP3017SFK-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2523-6（6UDFN）封装，专为在有限空间内实现高效功率切换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺，在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的电气性能，尤其注重降低导通损耗和开关损耗，以满足现代高密度电源设计的需求。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和9.5A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为14毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。器件的栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±25V，提供了稳健的驱动兼容性和可靠性保障。

在接口与参数方面，DMP3017SFK-13的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达10.4A，展现了强大的电流处理能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与标准逻辑电平或低电压PWM控制器的良好兼容性。该器件采用表面贴装形式，工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，使其能够适应严苛的环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、数据手册及设计支持。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关性能的组合，这款MOSFET非常适合用于空间受限的DC-DC转换器中的负载开关、电源路径管理以及电机驱动中的极性控制。常见应用场景包括笔记本电脑、平板电脑、便携式设备的电源管理系统，以及各类消费电子和工业控制模块中的功率分配与开关电路，是实现高效、紧凑型电源解决方案的关键元件。

• 制造商产品型号：DMP3017SFK-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：90nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4414pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：U-DFN2523-6
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