DMP3017SFK-7

DMP3017SFK-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2523-6封装，专为高密度PCB布局设计，其核心架构旨在优化功率转换效率和热性能。其P沟道设计简化了某些应用中的栅极驱动电路，特别是在负载开关和电源路径管理中，无需额外的电平转换电路，从而减少了系统复杂性和元件数量。

在电气性能方面，该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和10.4A的连续漏极电流（Id）能力，为低压大电流应用提供了坚实的保障。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）下典型值仅为14毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在90nC，结合优化的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关速度并降低驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该MOSFET的驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现良好的导通特性，且栅源电压（Vgs）耐受范围达±25V，增强了系统的鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。尽管其标称功率耗散为1W，但得益于封装的热设计，在实际应用中配合适当的PCB散热设计能有效管理热量。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品技术支持和供货信息。

综合其参数特性，DMP3017SFK-7非常适合用于需要高效率、小尺寸解决方案的领域。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的DC-DC转换器中的负载开关、电池保护电路以及电源管理单元（PMU）中的功率分配路径。其表面贴装形式也使其能无缝集成到自动化生产流程中，满足现代电子制造对高可靠性和高生产效率的要求。

• 型号:DMP3017SFK-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2523-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4414 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2523-6
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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