DMP3018SFV-13

DMP3018SFV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效热管理而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该MOSFET具备出色的电气特性，其最大漏源电压（Vdss）为30V，能够满足多种低压应用场景的需求。在导通性能方面，其关键优势在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和11.5A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(On)）典型值仅为12毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为51nC @ 10V，结合较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），有助于实现快速的开关切换并降低栅极驱动电路的损耗，使其非常适合高频开关应用。

在接口与参数方面，器件提供了灵活的驱动选择，驱动电压范围覆盖4.5V至10V，以实现最小导通电阻。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为11A，在壳温（Tc）下可达35A，展现了强大的电流处理能力。该MOSFET的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，通过官方DIODES授权代理进行采购是保障产品正品与供货稳定的重要途径。

基于其高性能与紧凑封装，DMP3018SFV-13广泛应用于需要高效电源管理的领域。典型应用场景包括直流-直流转换器中的负载开关、电池保护电路、电机驱动控制以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源分配系统。其优异的性能参数使其成为设计工程师在追求高效率、小尺寸解决方案时的理想选择。

• 型号:DMP3018SFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2147 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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