DMP3018SFV-7

DMP3018SFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，在极小的占板面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。其核心设计旨在提供极低的导通电阻（R_DS(on)）与栅极电荷（Q_g），从而显著降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的漏源击穿电压（V_DSS）为30V，能够稳定工作在常见的12V或24V总线系统中。其导通电阻在V_GS = 10V、I_D = 11.5A的条件下，最大值仅为12mΩ，确保了在大电流路径中产生最小的压降和热量。同时，栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为3V，结合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与标准逻辑电平或微控制器GPIO端口轻松兼容，简化了驱动电路设计。其栅极总电荷（Q_g）典型值较低，有助于实现快速的开关切换并降低栅极驱动损耗。

在电气参数方面，DMP3018SFV-7在25°C环境温度下的连续漏极电流（I_D）为11A，而在借助PCB散热（壳温T_C）条件下可高达35A，展现了强大的电流承载潜力。其输入电容（C_iss）和栅源电压（V_GS）最大耐受值分别为2147pF和±25V，为开关频率选择和栅极保护提供了设计余量。器件结温（T_J）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了其在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的设计项目，通过DIODES授权代理进行采购是确保元器件质量和供货可靠性的重要途径。

凭借其高性能与小型化封装，该器件非常适合空间受限且对效率要求高的应用场景。其主要应用包括但不限于：负载开关、电源管理单元（PMU）中的功率路径控制、电池保护电路、电机驱动中的H桥或预驱动级，以及DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在便携式设备、消费电子、工业控制及汽车辅助系统等领域，DMP3018SFV-7能够有效提升功率密度和系统能效。

• 型号:DMP3018SFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta），35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2147 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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