DMP3025LK3-13

DMP3025LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。该器件采用成熟的平面工艺制造，其核心架构旨在实现高效的电荷控制与电流导通。其沟道设计优化了载流子迁移率，在P沟道器件中实现了较低的导通电阻，这对于降低功率损耗至关重要。器件内部集成了保护性结构，确保了在规定的电压和电流范围内稳定可靠地工作。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压(Vdss)为30V，在25°C环境温度下可支持高达10.6A的连续漏极电流(Id)，展现了其处理中等功率负载的能力。其导通性能的关键指标导通电阻(Rds(On))，在Vgs为10V、Id为7.1A的条件下，最大值仅为25毫欧，这意味着在导通状态下产生的压降和热量都得到了有效控制。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，而推荐的驱动电压范围为4.5V至10V，这使得它能够与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器良好兼容，简化了驱动电路设计。

在动态特性与封装方面，DMP3025LK3-13的栅极电荷(Qg)在10V时为31.6nC，输入电容(Ciss)在15V时为1678pF，这些参数共同决定了其开关速度，适合用于频率适中的开关应用。器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产贴装。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2.15W（Ta），确保了在严苛环境下的适应性。对于需要此型号进行设计或备料的工程师，可以通过正规的DIODES代理商获取详细的技术支持与供应链服务。

基于其30V的耐压和超过10A的电流处理能力，DMP3025LK3-13非常适合应用于需要P沟道MOSFET作为高端开关或负载开关的场合。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流或功率路径管理、电机驱动控制电路、电池供电设备中的电源开关以及各种工业控制模块中的功率切换单元。其易于驱动的特性和TO-252封装形式，使其成为空间有限且对效率和可靠性有要求的消费电子、通信设备及工业自动化产品中的理想选择。

• 型号:DMP3025LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 10.6A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1678 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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