DMP3028LFDE-13

DMP3028LFDE-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的6引脚U-DFN2020-6（E类）封装，专为高密度PCB布局而优化，其底部裸露的散热焊盘有效提升了热传导效率，确保在紧凑空间内实现可靠的功率处理能力。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通电阻特性，在10V栅极驱动电压（Vgs）和7A漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值仅为32毫欧。这一低导通电阻直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合高频开关应用。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了外围驱动电路设计。

在电气参数方面，DMP3028LFDE-13的连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达6.8A，最大漏源电压（Vdss）为30V，能够满足多种中低压场景的电流承载需求。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的栅极可靠性裕度。器件的最大功率耗散为660mW（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品、技术资料及设计支持。

凭借其高效率、低损耗和易于驱动的特点，这款MOSFET非常适合应用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的电源负载开关、电池保护电路，以及分布式电源架构中的DC-DC转换器同步整流或功率路径管理。此外，在电机驱动、LED照明驱动等需要P沟道器件作为高端开关的系统中，它也是一个理想的选择。

• 型号:DMP3028LFDE-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1241 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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