DMP3028LFDE-7

作为一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的高性能功率器件，DMP3028LFDE-7是一款采用先进沟槽技术的P沟道增强型功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（E类）封装，在提供优异热性能的同时，满足了现代电子设备对高功率密度和小型化的严苛要求。

该MOSFET的电气特性表现突出，其漏源电压（Vdss）额定为30V，能够为低压电源轨和负载开关应用提供可靠的电压裕量。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达6.8A，具备出色的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs为10V、Id为7A的条件下，最大值仅为32毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的功率耗散和更高的效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，配合4.5V至10V的推荐驱动电压范围，使其能够与主流逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或电源管理芯片轻松兼容，简化了驱动电路设计。

在动态性能方面，DMP3028LFDE-7同样表现出色。其最大栅极电荷（Qg）在Vgs为10V时仅为22nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其输入电容（Ciss）在Vds为15V时最大值为1241pF，有助于维持开关波形的稳定性。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过正规的DIODES授权代理渠道获取此产品，确保原装正品和技术支持。

凭借其优异的综合性能，该器件非常适合用于空间受限且对效率要求高的应用场景。它常被部署在智能手机、平板电脑、便携式设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路。此外，在分布式电源架构的DC-DC转换器同步整流侧、电机驱动控制以及各类需要高效功率切换的消费类和工业类电子产品中，它都是一个理想的选择。

• 型号:DMP3028LFDE-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:32 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1241 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:660mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（E 类）
• 封装/外壳:6-PowerUDFN
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