DMP3028LK3-13

作为一款高性能的P沟道功率MOSFET，DMP3028LK3-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于稳健的P通道架构，能够在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，确保了在严苛环境下的可靠性。其表面贴装型TO-252封装不仅优化了PCB空间利用率，也提供了良好的热管理特性，最大功率耗散能力在环境温度下可达1.6W。

该器件的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、7A漏极电流条件下最大值仅为25毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值在10V条件下仅为22nC，结合最大±20V的栅源电压耐受能力，意味着它能够实现快速、干净的开关切换，并简化了驱动电路的设计，有助于减少开关损耗并提升整体响应速度。

在接口与关键参数方面，DMP3028LK3-13具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和高达27A（在壳温条件下）的连续漏极电流承载能力，为中等功率应用提供了充足的电压与电流裕量。其阈值电压（Vgs(th)）最大值在250A漏极电流下为2.4V，而优化的驱动电压范围（4.5V至10V）使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器能够良好兼容。输入电容（Ciss）在15V漏源电压下最大值为1241pF，这些参数的平衡设计共同保障了器件在开关过程中的稳定性和可控性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号以确保原装正品和技术支持。

基于上述综合性能，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率管理和负载开关的领域。其典型应用场景包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动控制电路、电池管理系统（BMS）中的放电保护与开关，以及各类消费电子、工业设备和通信基础设施中的电源分配单元。其P沟道特性尤其适用于高边开关配置，能够简化电路设计，是工程师在追求高功率密度和高可靠性设计时的优选功率器件之一。

• 型号:DMP3028LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 27A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1241 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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