DMP3035LSS-13

DMP3035LSS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8引脚SOP封装，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其P沟道架构简化了在负载开关、电源路径管理和电池供电应用中的电路设计，无需额外的电平转换电路即可由逻辑电平信号直接驱动，有效减少了外围元件数量和系统复杂性与成本。

该MOSFET在电气性能上表现出色，其最大漏源电压(Vdss)为30V，能够满足多种低压应用场景的耐压需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达11A，具备出色的电流承载能力。其导通电阻(Rds(on))是关键性能指标，在Vgs为10V、Id为8A的条件下，典型值仅为16毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率，尤其在处理大电流时优势明显。

在动态特性方面，栅极电荷(Qg)最大值仅为30.7nC，结合适中的输入电容(Ciss)，确保了快速的开关切换速度和较低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为2V，且驱动电压范围宽（推荐工作于4.5V至20V之间），使其能够与3.3V或5V的微控制器及逻辑电路完美兼容。器件支持高达±25V的栅源电压，提供了良好的抗干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品。

凭借其优异的性能组合，DMP3035LSS-13非常适合用于空间受限且对效率要求高的场合。典型应用包括但不限于笔记本电脑、平板电脑和便携式设备的电源管理和负载开关；在DC-DC转换器中作为同步整流的续流开关或高边开关；以及用于电池保护电路、电机驱动控制和低压工业自动化系统中的功率切换。其表面贴装型封装符合现代电子制造的高密度装配趋势。

• 型号:DMP3035LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1655 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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