DMP3035SFG-7

DMP3035SFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，集成了优化的单元结构，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的平衡，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。

其核心特性包括30V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下高达8.5A的连续漏极电流（Id）能力。在驱动方面，该MOSFET表现出优异的开关性能，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，确保了与低电压逻辑电平的兼容性。当栅源电压（Vgs）为10V时，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，在8A电流下最大值仅为20毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更优的热管理。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为17nC，这有助于减少驱动电路的负担，实现更快的开关速度和更高的开关频率，适用于对动态性能要求苛刻的场合。

在电气参数上，该器件支持±25V的最大栅源电压，提供了宽裕的驱动安全余量。其输入电容（Ciss）在15V Vds下最大值为1633pF。器件采用表面贴装形式，额定功率耗散为950mW（Ta），并拥有宽泛的结温工作范围（-55°C 至 150°C），确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购与咨询。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，DMP3035SFG-7非常适合应用于需要高效电源管理的领域。典型应用包括直流-直流转换器中的负载开关、电池供电设备的电源路径管理、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备中的功率分配单元。其设计充分考虑了空间受限的现代电子产品需求，是提升功率密度和能源效率的理想选择。

• 型号:DMP3035SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1633 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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