DMP3036SFG-13

DMP3036SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET技术的P沟道功率场效应晶体管。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，专为优化PCB空间和提升散热性能而设计。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体技术，通过精密的制造工艺实现了优异的电气特性与可靠性平衡，使其成为需要高效功率开关和控制的现代电子系统中的关键组件。

该器件在电气性能上表现突出，其30V的漏源击穿电压（Vdss）和8.7A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够稳健地处理中等功率级别的负载。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和8A漏极电流条件下，最大值仅为20毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合5V至10V的标准驱动电压范围，确保了与常见逻辑电平控制器（如MCU、GPIO）的轻松兼容和高效驱动。

在动态开关性能方面，DMP3036SFG-13的栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值仅为16.5nC，较低的栅极电荷有助于减少开关过程中的驱动损耗，并允许使用更小、更经济的栅极驱动器，从而提升开关频率和系统响应速度。其输入电容（Ciss）在15V条件下最大值为1931pF，结合其栅源电压（Vgs）可承受±25V的极限值，为设计提供了充足的鲁棒性裕量。器件在环境温度（Ta）下的最大功耗为950mW，结温（Tj）工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了其在宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关技术支持。

凭借其紧凑的PowerDI3333-8封装、优异的电气参数和宽工作温度范围，DMP3036SFG-13非常适合应用于空间受限且对效率有要求的场景。典型应用包括但不限于：便携式设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关和电源路径管理；分布式电源架构中的DC-DC转换器同步整流或高端开关；电机驱动控制电路；以及电池供电系统中的充电管理和保护电路。其设计旨在为工程师提供一个高效、可靠且易于集成的功率开关解决方案。

• 型号:DMP3036SFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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