DMP3036SFG-7

作为一款高性能P沟道功率MOSFET，DMP3036SFG-7采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与低损耗的平衡。该器件基于成熟的沟槽工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在确保30V漏源电压（Vdss）可靠性的同时，显著降低了导通电阻。其P通道特性使其特别适用于作为负载开关或在高边驱动配置中工作，为系统设计提供了灵活的拓扑选择。

该MOSFET的功能特点突出体现在其优异的开关性能与导通特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至20毫欧（在8A电流条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，配合最大±25V的栅源电压范围，确保了与多种逻辑电平（如5V、3.3V）控制信号的兼容性，并提供了充足的驱动安全裕度。较低的栅极电荷（Qg，最大值16.5nC @ 10V）有助于减少开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的性能。

在接口与关键参数方面，DIODES一级代理供应的这款器件采用紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装，具有良好的散热性能和空间利用率。其连续漏极电流（Id）在环境温度（Ta）下可达8.7A，最大功率耗散为950mW，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的稳定运行。输入电容（Ciss）等动态参数经过优化，有助于简化驱动电路设计并抑制开关噪声。

凭借上述特性，DMP3036SFG-7非常适合应用于对空间和效率有严格要求的场景。其主要应用领域包括但不限于：便携式设备的电源管理（如负载开关、电池保护电路）、DC-DC转换器中的同步整流或高边开关、电机驱动控制模块以及各类需要高效功率切换的消费电子和工业设备。其高电流能力、低导通电阻和良好的热性能，使其成为中小功率开关应用中一个可靠且高效的选择。

• 型号:DMP3036SFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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