DMP3036SFV-7

DMP3036SFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的P沟道功率MOSFET。该器件采用PowerDI3333-8封装，这是一种紧凑的表面贴装型封装，专为高功率密度应用而优化，能够在有限的空间内实现高效的功率处理和散热。其核心设计旨在提供极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升系统整体效率。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达30A的连续漏极电流(Id)能力，为低压电源管理和负载开关应用提供了坚实的保障。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)、8A漏极电流条件下典型值仅为20毫欧，这一低阻抗特性对于减少功率耗散至关重要。同时，其最大栅极阈值电压(Vgs(th))为2.5V，且驱动电压范围宽至±25V，确保了与多种逻辑电平控制器（如3.3V或5V微控制器）的兼容性和驱动的便利性。

在动态特性方面，10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)仅为16.5nC，结合1931pF的输入电容(Ciss)，共同构成了快速的开关性能，有助于降低开关频率应用中的驱动损耗。器件的最大功耗为2.3W，结温工作范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取该产品的详细信息、样品及采购服务。

凭借其优异的电气性能和紧凑的封装，DMP3036SFV-7非常适用于空间受限且对效率要求高的场景。其主要应用方向包括但不限于：笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的电池保护与负载开关；分布式电源架构中的DC-DC转换器同步整流或高端开关；以及电机驱动、LED照明等需要高效功率切换的消费电子和工业控制领域。

• 型号:DMP3036SFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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