DMP3036SSS-13

DMP3036SSS-13是Diodes Incorporated推出的一款高性能P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的8-SO表面贴装封装，专为需要高效率、低导通损耗和高功率密度的现代电源管理与开关应用而设计。其核心架构优化了沟道与终端结构，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的物理尺寸内提供卓越的电流处理能力。

该器件的一个关键特性是其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和9A漏极电流（Id）条件下，典型值仅为20毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为16.5nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。

在电气参数方面，DMP3036SSS-13的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达19.5A，漏源击穿电压（Vdss）为30V，使其能够稳定工作在多种中低压场景。其开启阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，与标准逻辑电平兼容性良好。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障供应链可靠性的重要途径。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器中的负载开关、电源路径管理、电机驱动控制以及电池供电设备的反向极性保护等场景。其表面贴装形式和稳健的设计，使其成为空间受限的消费电子、工业控制及通信设备中实现高效功率切换的理想选择。

• 型号:DMP3036SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 19.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1931 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 现在可以订购DMP3036SSS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。