DMP3048LSD-13

DMP3048LSD-13是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装型8-SOIC封装的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型P沟道MOSFET，其核心架构基于先进的沟槽工艺技术，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。这种双通道集成设计不仅节省了宝贵的PCB空间，还简化了电路布局，尤其适用于需要紧凑型功率开关解决方案的场合。

该器件在电气性能上表现出色，其漏源击穿电压(Vdss)为30V，能够满足多种低压至中压应用的需求。在25°C环境温度下，每个通道的连续漏极电流(Id)额定值为4.8A，具备较强的电流处理能力。其关键优势在于极低的导通损耗，当栅源电压(Vgs)为10V、漏极电流(Id)为5A时，导通电阻(RDS(on))典型值低至48毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统整体效率。此外，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，DMP3048LSD-13的栅极电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大仅为13.5nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其输入电容(Ciss)在Vds=15V时最大为1438pF，结合低Qg特性，有助于优化开关波形并减少电磁干扰(EMI)。器件的最大功耗为1.7W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要可靠供应链支持的国内项目，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品和技术支持。

凭借其紧凑的封装、优异的电气参数和稳健的性能，DMP3048LSD-13非常适合应用于空间受限且对效率有要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：负载开关、电源管理模块中的功率路径控制、电池供电设备的反向电流保护、电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑，以及便携式设备、消费电子和工业控制系统中的通用功率开关功能。其设计充分考虑了现代电子系统对高密度、高效率和高可靠性的综合需求。

• 型号:DMP3048LSD-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.8A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:48 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1438pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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