DMP3050LSS-13

作为一款由Diodes Incorporated推出的P沟道功率MOSFET，DMP3050LSS-13采用了先进的沟槽式MOSFET技术。其核心架构旨在实现极低的导通电阻与快速的开关性能，内部结构经过优化，有效降低了栅极电荷和寄生电容，这为高效率的功率转换与控制奠定了坚实基础。该器件采用紧凑的8引脚SO封装，非常适合高密度PCB布局，同时确保了良好的热性能。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其最大漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下可支持高达4.8A的连续漏极电流。一个关键的优势在于其极低的导通电阻，在10V栅源电压和6A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为45毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2V，结合最大±25V的栅源电压耐受能力，提供了宽裕且稳健的驱动设计窗口。

为了满足现代电源管理对开关速度的苛刻要求，DMP3050LSS-13的开关特性同样出色。其最大栅极总电荷（Qg）在10V条件下仅为10.5nC，输入电容（Ciss）在15V下最大值为620pF，这些低电荷参数显著降低了驱动电路的损耗，并支持更高频率的开关操作，有助于减小外围无源元件的尺寸。器件的最大功耗为1.7W，结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，保证了在严苛环境下的可靠运行。

凭借这些综合特性，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率路径管理的场景。典型应用包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备中的负载开关、电源分配切换以及电池保护电路。此外，在低压DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动控制以及各类消费电子产品的功率管理模块中，它也能发挥重要作用。对于需要可靠供应链保障的设计项目，通过正规的DIODES授权代理进行采购是确保产品正品与长期供货稳定性的关键。

• 型号:DMP3050LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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