DMP3050LVT-7

DMP3050LVT-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了高性能的功率开关功能，其核心设计旨在实现极低的导通电阻（Rds(on)）与优异的开关特性之间的平衡。通过优化的单元结构和工艺控制，该MOSFET在提供高达4.5A连续电流能力的同时，确保了在宽泛工作条件下的稳定性和可靠性，为空间受限的现代电子设备提供了高效的功率管理解决方案。

该器件的性能表现突出，其最大导通电阻仅为50毫欧（在Vgs=-10V，Id=-4.5A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，且栅极电荷（Qg）最大值仅为10.5nC，这使得它能够被微控制器或低功耗逻辑电路轻松驱动，并实现快速的开关速度，有助于减少开关损耗。此外，其漏源击穿电压（Vdss）为-30V，并具备±25V的栅源电压耐受能力，提供了稳健的电气安全裕度。

在电气参数方面，DIODES一级代理可提供全面的技术支持与供应服务。DMP3050LVT-7的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗为1.8W（Ta），适合在严苛的环境下运行。其表面贴装型TSOT-26封装不仅节省了宝贵的PCB面积，也优化了热性能。较低的输入电容（Ciss）进一步减少了驱动电路的负担，使其成为高频开关应用的理想选择。

基于其综合特性，DMP3050LVT-7非常适合应用于需要高效功率切换和空间优化的场景。典型应用包括负载开关、电源管理模块、电池保护电路、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及便携式设备、物联网模块和各类消费电子产品中的功率分配单元。其可靠的性能和紧凑的尺寸，使其成为工程师在设计高密度、高效率电源系统时的优选元器件。

• 型号:DMP3050LVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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