DMP3056LSDQ-13

DMP3056LSDQ-13是Diodes Incorporated推出的一款采用SO-8封装的双P沟道功率MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的增强型P沟道MOSFET，共享一个公共的源极连接，这种紧凑的架构使其在需要多路开关或负载控制的有限PCB空间应用中极具优势。其设计严格遵循AEC-Q101标准，确保了在严苛的汽车电子环境下的可靠性与耐久性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。

该芯片的核心特性在于其优异的导通性能与开关效率。在10V栅源电压驱动下，其导通电阻典型值低至45毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效并减少热管理需求。同时，其栅极电荷最大值仅为13.7nC，结合722pF的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量较低，能够实现快速的开关切换，减少开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其阈值电压最大值为2.1V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V微控制器）的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DMP3056LSDQ-13的连续漏极电流额定值为6.9A，漏源击穿电压为30V，使其能够胜任多种中低功率的负载切换任务。其最大功耗为2.5W，采用标准的表面贴装SO-8封装，便于自动化生产并节省板级空间。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的设计项目，通过DIODES一级代理进行采购是确保产品正品与供货可靠性的有效途径。

基于其稳健的性能和车规级认证，该器件非常适合应用于对可靠性和空间有严格要求的领域。典型的应用场景包括汽车电子系统中的负载开关、电机预驱动、电源管理模块（如反向极性保护、负载点转换）以及车身控制模块（BCM）中的多路输出控制。此外，在工业自动化、便携式设备以及需要高效电源路径管理的消费类电子产品中，它也能发挥出色的性能。

• 型号:DMP3056LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:722pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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