DMP3068L-13

DMP3068L-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道增强型功率MOSFET。该器件采用紧凑的SOT-23封装，集成了高性能的硅基MOSFET结构，其设计旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗，提升整体系统效率。

该MOSFET的核心优势在于其优异的电气参数组合。其最大漏源电压(Vdss)为30V，能够满足多种低压应用场景的耐压需求。在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值高达3.3A，提供了可观的电流处理能力。尤为突出的是其低导通电阻特性，在10V栅源驱动电压(Vgs)和4.2A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值低至72毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更优的温升表现。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为1.3V，且能在低至1.8V的驱动电压下实现良好的导通，这使得它非常适合用于由低电压逻辑电路（如1.8V、3.3V MCU GPIO）直接驱动的场合，无需额外的电平转换或驱动电路，简化了设计。

在动态特性方面，DMP3068L-13同样表现出色。其最大栅极总电荷(Qg)仅为15.9nC，结合708pF的输入电容(Ciss)，意味着在开关过程中所需的驱动能量极低，这不仅降低了驱动IC的负担，也使得开关速度更快，有助于提升高频应用的性能。器件支持±12V的栅源电压范围，提供了足够的噪声容限。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理进行采购，以获得原厂品质保障。

凭借其小尺寸、低导通电阻和优异的开关特性，这款MOSFET是空间受限且对效率有高要求的应用的理想选择。它广泛应用于便携式设备的电源管理模块，如负载开关、电池反接保护、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关。在电机驱动、LED照明驱动以及各种消费电子产品的功率控制电路中，它也能可靠地执行功率切换任务，是实现高效、紧凑型电源设计的基石元件之一。

• 型号:DMP3068L-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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