DMP3068L-7

DMP3068L-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术制造的P沟道增强型功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其沟道结构经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下快速形成导电沟道，从而显著降低开关过程中的传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体能效至关重要。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压额定值为30V，连续漏极电流在环境温度25°C下可达3.3A，为中小功率应用提供了充足的电压和电流裕量。其导通电阻表现优异，在10V栅源电压和4.2A漏极电流条件下，典型值仅为72毫欧，这意味着在导通状态下产生的压降和热量极低。更值得关注的是其极低的栅极阈值电压和驱动电压要求，Vgs(th)最大值仅为1.3V，而推荐用于获得最小导通电阻的驱动电压为10V，这使得它能与多种低电压逻辑电平（如1.8V、3.3V、5V）的微控制器或电源管理芯片直接兼容，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。

在动态参数方面，DMP3068L-7同样表现出色。其栅极总电荷Qg最大值仅为15.9nC，输入电容Ciss最大值为708pF，这些低电荷特性确保了快速的开关速度，减少了开关过渡时间，有助于在高频开关应用中降低开关损耗并提升频率响应。器件采用坚固的SOT-23表面贴装封装，占板面积小，适合高密度PCB布局，其结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和全面技术支持的项目，通过官方授权的DIODES一级代理进行采购是保障供应链顺畅的可靠途径。

凭借其综合性能，该器件非常适合用于需要高效功率切换或负载控制的场合。典型应用包括便携式设备的负载开关、电源管理单元中的功率路径控制、电机驱动电路中的H桥下管、DC-DC转换器中的同步整流或高端开关，以及电池供电系统中作为反向电流保护开关。其小尺寸、高效率和易驱动性使其成为空间受限且对能效有要求的现代电子设计的理想选择。

• 型号:DMP3068L-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:72 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:708 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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